第三代半导体材料 GaN（氮化镓），是宽禁带半导体的杰出代表。GaN 的禁带宽带是 Si 的 3 倍，击穿电场是 Si 的 10 倍。因此，氮化镓制作的功率器件具有开关速度快，导通电阻低，芯片面积小等显著特点，广泛适用于电源适配器、工业电源和汽车电子等领域。

GaN 功率器件一般分常开型（耗尽型）和常闭型（增强型）氮化镓。常开型 GaN 功率器件需要负压关断，以前市场对它的应用特性认识还不太成熟，因此在实际应用中较难直接使用。目前市场上耗尽型的 GaN 解决方案主要是这种耗尽型 GaN 功率器件和低压 Si MOSFET 器件合封，国际上知名的半导体企业 PI、TI 和 Transphorm 等都在推广这种方案。随着认识的深入，这种 GaN 功率器件在消费电子应用中也能灵活和低压 Si 器件搭配，这既能充分利用 GaN 的高频和高转换效率的应用特点，又能在驱动上充分兼容 Si MOSFET，应用生态比较成熟，且控制器和驱动有多种选择，使用上比较灵活，系统成本上也极具吸引力