GR-65S015NT

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浏览量:

1000

产品编号：

ID:

15A

VR:

650V

VF:

1.8V

IR:

11uA

QC:

32nF

CJ:

56pF

Package:

TO-220AC

数量

库存:

所属分类

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资质文件工艺装备

产品描述

参数

Demo 测试效率 :

通过测试，230VAC 输入的母线满载效率高达 94.2%， C 口满载效率达 93.2% 左右。同时传导和辐射的裕量在 7dB 和 10dB 以上。目前市场上有好几家客户对这款器件和 Demo 板的整体性能表示非常满意，已经直接拿能华的这款 demo 板设计资料打板准备直接试产了。

热测试结果

装机壳测试，连接多个热电偶在各个器件上，在最恶劣的条件下测试，系统内各器件的温度都满足相关热测试标准。

蓝宝石是目前GaN器件使用量最大、最成熟的衬底材料，通过蓝宝石衬底制造的GaN器件通常被归类为蓝宝石上氮化镓技术产品（GaN on Sapphire），大部分光电应用的GaN器件都是通过蓝宝石衬底外延GaN制造的。GaN半导体器件的另外两种常用衬底是Si和SiC，通常称为GaN-on-Si（硅基氮化镓）和GaN-on-SiC（碳化硅基氮化镓）器件，目前主要应用在射频器件、功率器件等领域。

关键词:

GR-65S010LT

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